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产业图3MoSe2-WSe2异质结热整流机理揭示研究团队进一步发现热整流效应将显著提升电子器件在大功率条件下的散热能力。相关研究成果发表于最新一期的Science期刊上，目签论文的共同第一作者为清华大学博士生张宇峰和吕倩，目签通讯作者为清华大学张兴教授、王海东副教授和吕瑞涛副教授。图1 不同界面角度MoSe2-WSe2异质结器件的制备与表征二维面内异质结器件的测量结果表明，总投资当电子和声子垂直通过异质结界面时，总投资器件具有最高104的电整流比和96%的热整流比（图2）。

材料热导率的增加将显著提升器件的散热性能，亿园项约实验测量结果显示面内异质结器件可以承受60V的大偏置电压，此时异质结界面温升约为100°C（图4）。受邀在世界碳材料年度大会等国内外重要学术会议上作大会报告/特邀报告40余次，西部担任第四/五/六/八届国际石墨烯高峰论坛（深圳）二维材料分会主席。

当面内异质结二极管器件处于反向截止状态时，产业通过器件的电流很小，器件几乎没有温升，热量的传递没有特定方向。

为了解决上述难题，目签研究团队采用常压化学气相沉积（Atmospheric-PressureChemicalVaporDeposition,AP-CVD）方法合成了单层MoSe2-WSe2面内异质结，目签采用高精度纳米定位和电子束曝光加工技术制备得到了具有不同界面转角的悬架H型电子器件，使用高角环形暗场扫描透射电子显微镜（HAADF-STEM）和拉曼光谱扫描方法精确表征了异质结界面的原子结构、形貌、位置和角度（图1）。一、总投资【导读】在石油和天然气工业中分离和提纯发挥着至关重要的作用，但依赖于高能耗的精馏过程，占全球能源消耗的10%至15%。

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